| Part Number : | STU6N65M2 |
|---|---|
| Producent / marka : | STMicroelectronics |
| Opis : | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 49177 pcs |
| Arkusze danych | STU6N65M2.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks.) | ±25V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | IPAK (TO-251) |
| Seria | MDmesh™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 1.35 Ohm @ 2A, 10V |
| Strata mocy (max) | 60W (Tc) |
| Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Inne nazwy | 497-15044-5 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 226pF @ 100V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 650V |
| szczegółowy opis | N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
STMicroelectronics
