Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

STU6N65K3

Part Number : STU6N65K3
Producent / marka : STMicroelectronics
Opis : MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 64893 pcs
Arkusze danych STU6N65K3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (maks.) ±30V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet I-PAK
Seria SuperMESH3™
RDS (Max) @ ID, Vgs 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Strata mocy (max) 110W (Tc)
Opakowania Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Inne nazwy 497-13593-5
temperatura robocza 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 880pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 33nC @ 10V
Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 650V
szczegółowy opis N-Channel 650V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)
STU6N65K3
STMicroelectronics STMicroelectronics Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup STU6N65K3 z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia