| Part Number : |
SI8261BCD-C-ISR |
| Producent / marka : |
Energy Micro (Silicon Labs) |
| Opis : |
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
| Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość |
16929 pcs |
| Arkusze danych |
SI8261BCD-C-ISR.pdf |
| Napięcie - Dostawa |
13.5 V ~ 30 V |
| Napięcie - Izolacja |
5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ) |
2.8V (Max) |
| Technologia |
Capacitive Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet |
6-SDIP |
| Seria |
Automotive, AEC-Q100 |
| Czas narastania / spadku (typ) |
5.5ns, 8.5ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.) |
28ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.) |
60ns, 50ns |
| Opakowania |
Cut Tape (CT) |
| Package / Case |
6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy |
336-4919-1 |
| temperatura robocza |
-40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów |
1 |
| Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta |
6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis |
4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Obecny - Szczytowa wydajność |
4A |
| High Output, Niska - Bieżąca |
500mA, 1.2A |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.) |
30mA |
| Współczynnik przejściowy (min) |
35kV/µs |
| Zatwierdzenia |
CQC, CSA, UR, VDE |
Energy Micro (Silicon Labs)
