Part Number : | SI8261BCC-C-IS |
---|---|
Producent / marka : | Energy Micro (Silicon Labs) |
Opis : | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 25263 pcs |
Arkusze danych | SI8261BCC-C-IS.pdf |
Napięcie - Dostawa | 13.5 V ~ 30 V |
Napięcie - Izolacja | 3750Vrms |
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Technologia | Capacitive Coupling |
Dostawca urządzeń Pakiet | 8-SOIC |
Seria | Automotive, AEC-Q100 |
Czas narastania / spadku (typ) | 5.5ns, 8.5ns |
Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.) | 28ns |
Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.) | 60ns, 50ns |
Opakowania | Tube |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Inne nazwy | 336-2420-5 |
temperatura robocza | -40°C ~ 125°C |
Liczba kanałów | 1 |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 Hours) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 6 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
szczegółowy opis | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
Obecny - Szczytowa wydajność | 4A |
High Output, Niska - Bieżąca | 500mA, 1.2A |
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.) | 30mA |
Współczynnik przejściowy (min) | 35kV/µs |
Zatwierdzenia | CQC, CSA, UR, VDE |