Part Number : | 2SK3565(Q,M) |
---|---|
Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Opis : | MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 4923 pcs |
Arkusze danych | 1.2SK3565(Q,M).pdf2.2SK3565(Q,M).pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (maks.) | ±30V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220SIS |
Seria | π-MOSIV |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
Strata mocy (max) | 45W (Tc) |
Opakowania | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Inne nazwy | 2SK3565(Q) 2SK3565(Q)-ND 2SK3565Q 2SK3565Q-ND 2SK3565QM |
temperatura robocza | 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Through Hole |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1150pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 900V |
szczegółowy opis | N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |