| Part Number : | 2SK3564(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Opis : | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 45265 pcs |
| Arkusze danych | 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf |
| Napięcie - Test | 700pF @ 25V |
| Napięcie - Podział | TO-220SIS |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (maks.) | 10V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria | π-MOSIV |
| Stan RoHS | Tube |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 3A (Ta) |
| Polaryzacja | TO-220-3 Full Pack |
| Inne nazwy | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta | 2SK3564(STA4,Q,M) |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 17nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT | ±30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 4V @ 1mA |
| Cecha FET | N-Channel |
| Rozszerzony opis | N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | - |
| Opis | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 900V |
| Stosunek pojemności | 40W (Tc) |
Toshiba Semiconductor and Storage
