Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

TK28N65W,S1F

Part Number : TK28N65W,S1F
Producent / marka : Toshiba Semiconductor and Storage
Opis : MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 10801 pcs
Arkusze danych TK28N65W,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.6mA
Vgs (maks.) ±30V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet TO-247
Seria DTMOSIV
RDS (Max) @ ID, Vgs 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Strata mocy (max) 230W (Tc)
Opakowania Tube
Package / Case TO-247-3
Inne nazwy TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
temperatura robocza 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 3000pF @ 300V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 75nC @ 10V
Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 650V
szczegółowy opis N-Channel 650V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 27.6A (Ta)
TK28N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup TK28N65W,S1F z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia