| Part Number : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Opis : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 43346 pcs |
| Arkusze danych | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (maks.) | +10V, -20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | DPAK+ |
| Seria | U-MOSVI |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max) | 68W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
| temperatura robocza | 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Rodzaj FET | P-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60V |
| szczegółowy opis | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
