Part Number : | STH110N10F7-6 |
---|---|
Producent / marka : | STMicroelectronics |
Opis : | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 5563 pcs |
Arkusze danych | STH110N10F7-6.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (maks.) | ±20V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | H2PAK-6 |
Seria | DeepGATE™, STripFET™ VII |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
Strata mocy (max) | 150W (Tc) |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Inne nazwy | 497-13837-2 |
temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5117pF @ 50V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
szczegółowy opis | N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |