| Part Number : | SPB20N60C3ATMA1 |
|---|---|
| Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Opis : | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 13697 pcs |
| Arkusze danych | SPB20N60C3ATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PG-TO263-3-2 |
| Seria | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Strata mocy (max) | 208W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy | SP000013520 SPB20N60C3 SPB20N60C3ATMA1TR SPB20N60C3INTR SPB20N60C3INTR-ND SPB20N60C3XT SPB20N60C3XT-ND |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 650V |
| szczegółowy opis | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
