Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

SI5447DC-T1-GE3

Part Number : SI5447DC-T1-GE3
Producent / marka : Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis : MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 5783 pcs
Arkusze danych SI5447DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Vgs (maks.) ±8V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet 1206-8 ChipFET™
Seria TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Strata mocy (max) 1.3W (Ta)
Opakowania Tape & Reel (TR)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Inne nazwy SI5447DC-T1-GE3TR
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Rodzaj FET P-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 20V
szczegółowy opis P-Channel 20V 3.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
SI5447DC-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup SI5447DC-T1-GE3 z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia