Part Number : | RN2910FE,LF(CB |
---|---|
Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Opis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 1459077 pcs |
Arkusze danych | RN2910FE,LF(CB.pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
Typ tranzystora | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Dostawca urządzeń Pakiet | ES6 |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | - |
Rezystor - Podstawa (R1) | 4.7 kOhms |
Moc - Max | 100mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Inne nazwy | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 16 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | 200MHz |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | 100nA (ICBO) |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 100mA |