Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

RN2115MFV,L3F

Part Number : RN2115MFV,L3F
Producent / marka : Toshiba Semiconductor and Storage
Opis : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 999976 pcs
Arkusze danych RN2115MFV,L3F.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max) 50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC 300mV @ 500µA, 5mA
Typ tranzystora PNP - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet VESM
Seria -
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) 10 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1) 2.2 kOhms
Moc - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Inne nazwy RN2115MFVL3F
Rodzaj mocowania Surface Mount
Standardowy czas oczekiwania producenta 16 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max) 500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks) 100mA
Toshiba Semiconductor and Storage Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup RN2115MFV,L3F z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia