Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

RN1909FE(TE85L,F)

Part Number : RN1909FE(TE85L,F)
Producent / marka : Toshiba Semiconductor and Storage
Opis : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 390171 pcs
Arkusze danych RN1909FE(TE85L,F).pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max) 50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC 300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet ES6
Seria -
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) 22 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1) 47 kOhms
Moc - Max 100mW
Opakowania Cut Tape (CT)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Inne nazwy RN1909FE(TE85LF)CT
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition 250MHz
szczegółowy opis Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max) 100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks) 100mA
RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup RN1909FE(TE85L,F) z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia