| Part Number : |
RN1609(TE85L,F) |
| Producent / marka : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Opis : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 |
| Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość |
304384 pcs |
| Arkusze danych |
RN1609(TE85L,F).pdf |
| Napięcie - kolektor emiter (Max) |
50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Typ tranzystora |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet |
SM6 |
| Seria |
- |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2) |
22 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1) |
47 kOhms |
| Moc - Max |
300mW |
| Opakowania |
Cut Tape (CT) |
| Package / Case |
SC-74, SOT-457 |
| Inne nazwy |
RN1609(TE85LF)CT |
| Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition |
250MHz |
| szczegółowy opis |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max) |
100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
