Part Number : | NSVMUN5316DW1T1G |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 351208 pcs |
Arkusze danych | NSVMUN5316DW1T1G.pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
Typ tranzystora | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | - |
Rezystor - Podstawa (R1) | 4.7 kOhms |
Moc - Max | 250mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Inne nazwy | NSVMUN5316DW1T1G-ND NSVMUN5316DW1T1GOSTR |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 40 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | - |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | 500nA |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 100mA |