Part Number : | NSBC114EDXV6T1G |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 614057 pcs |
Arkusze danych | NSBC114EDXV6T1G.pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
Typ tranzystora | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-563 |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | 10 kOhms |
Rezystor - Podstawa (R1) | 10 kOhms |
Moc - Max | 500mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Inne nazwy | NSBC114EDXV6T1GOS NSBC114EDXV6T1GOS-ND NSBC114EDXV6T1GOSTR |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 22 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | - |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | 500nA |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 100mA |
Podstawowy numer części | NSBC1* |