| Part Number : |
NSBA113EDXV6T1 |
| Producent / marka : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Status RoHs : |
Zawiera ołów / RoHS niezgodny |
| dostępna ilość |
4238 pcs |
| Arkusze danych |
NSBA113EDXV6T1.pdf |
| Napięcie - kolektor emiter (Max) |
50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC |
250mV @ 5mA, 10mA |
| Typ tranzystora |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet |
SOT-563 |
| Seria |
- |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2) |
1 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1) |
1 kOhms |
| Moc - Max |
500mW |
| Opakowania |
Tape & Reel (TR) |
| Package / Case |
SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy |
NSBA113EDXV6T1OS |
| Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition |
- |
| szczegółowy opis |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce |
3 @ 5mA, 10V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max) |
500nA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks) |
100mA |
| Podstawowy numer części |
NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
