Part Number : | NCV5183DR2G |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 29655 pcs |
Arkusze danych | NCV5183DR2G.pdf |
Napięcie - Dostawa | 9 V ~ 18 V |
Dostawca urządzeń Pakiet | 8-SOIC |
Seria | Automotive, AEC-Q100 |
Czas narastania / spadku (typ) | 12ns, 12ns |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Inne nazwy | NCV5183DR2GOSTR |
temperatura robocza | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Częstotliwość wejściowa | 2 |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 26 Weeks |
Napięcie logiczne - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Typ wejścia | Non-Inverting |
Wysoka strona napięcie - Max (Bootstrap) | 600V |
Typ bramy | N-Channel MOSFET |
Konfiguracja napędzana | Half-Bridge |
szczegółowy opis | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak) | 4.3A, 4.3A |
Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max) | Independent |