| Part Number : | MURTA500120R |
|---|---|
| Producent / marka : | GeneSiC Semiconductor |
| Opis : | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 480 pcs |
| Arkusze danych | MURTA500120R.pdf |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 2.6V @ 250A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet | Three Tower |
| Prędkość | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria | - |
| Opakowania | Bulk |
| Package / Case | Three Tower |
| Temperatura pracy - złącze | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody | Standard |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| szczegółowy opis | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode) | 250A |
GeneSiC Semiconductor
