| Part Number : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Producent / marka : | ON Semiconductor |
| Opis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 1001518 pcs |
| Arkusze danych | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Napięcie - kolektor emiter (Max) | 100mA |
| Napięcie - Podział | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 50V |
| Seria | - |
| Stan RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm) | 47k |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm) | - |
| Moc - Max | 250mW |
| Polaryzacja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 47k |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 10 Weeks |
| Numer części producenta | MUN5113DW1T1G |
| Częstotliwość - Transition | 80 @ 5mA, 10V |
| Rozszerzony opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Opis | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Obecny - Collector odcięcia (Max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
