| Part Number : | MBR600150CTR |
|---|---|
| Producent / marka : | GeneSiC Semiconductor |
| Opis : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 439 pcs |
| Arkusze danych | MBR600150CTR.pdf |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 880mV @ 300A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 150V |
| Dostawca urządzeń Pakiet | Twin Tower |
| Prędkość | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria | - |
| Opakowania | Bulk |
| Package / Case | Twin Tower |
| Temperatura pracy - złącze | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody | Schottky |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| szczegółowy opis | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 3mA @ 150V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
