Witamy na www.icgogogo.com

Wybierz język

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Jeśli potrzebujesz języka, nie jest dostępny, „ skontaktuj się z obsługą klienta

IXTY02N120P

Part Number : IXTY02N120P
Producent / marka : IXYS Corporation
Opis : MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK
Status RoHs : Bezołowiowa / zgodna z RoHS
dostępna ilość 20442 pcs
Arkusze danych IXTY02N120P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Vgs (maks.) ±20V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet TO-252, (D-Pak)
Seria Polar™
RDS (Max) @ ID, Vgs 75 Ohm @ 500mA, 10V
Strata mocy (max) 33W (Tc)
Opakowania Tube
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta 24 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 104pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 1200V
szczegółowy opis N-Channel 1200V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc)
IXYS Corporation Obrazy są tylko w celach informacyjnych. Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Kup IXTY02N120P z ufnością {Definiuj: Sys_Domain}, 1-letnia gwarancja
Prześlij prośbę o cytat na ilości większe niż wyświetlane.
Cena docelowa (USD):
Ilość:
Całkowity:
$US 0.00

Produkty powiązane

Proces dostarczenia