Part Number : | IRF6810STR1PBF |
---|---|
Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Opis : | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 5433 pcs |
Arkusze danych | IRF6810STR1PBF.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
Vgs (maks.) | ±16V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | DIRECTFET S1 |
Seria | HEXFET® |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
Strata mocy (max) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
Opakowania | Cut Tape (CT) |
Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
Inne nazwy | IRF6810STR1PBFCT |
temperatura robocza | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1038pF @ 13V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 25V |
szczegółowy opis | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 50A (Tc) |