| Part Number : | IPD60N10S4L12ATMA1 |
|---|---|
| Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Opis : | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 55381 pcs |
| Arkusze danych | IPD60N10S4L12ATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
| Vgs (maks.) | ±16V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PG-TO252-3-313 |
| Seria | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 12 mOhm @ 60A, 10V |
| Strata mocy (max) | 94W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy | IPD60N10S4L12ATMA1-ND IPD60N10S4L12ATMA1TR SP000866550 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3170pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
| szczegółowy opis | N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
