| Part Number : | IPD053N06N3GBTMA1 |
|---|---|
| Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Opis : | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 4539 pcs |
| Arkusze danych | IPD053N06N3GBTMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PG-TO252-3 |
| Seria | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Strata mocy (max) | 115W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND IPD053N06N3GBTMA1TR SP000453318 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 6600pF @ 30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60V |
| szczegółowy opis | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
