| Part Number : | IPB072N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Opis : | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 10386 pcs |
| Arkusze danych | IPB072N15N3GATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | PG-TO263-3-2 |
| Seria | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 7.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Strata mocy (max) | 300W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy | IPB072N15N3 G IPB072N15N3 G-ND IPB072N15N3 GTR-ND IPB072N15N3G IPB072N15N3GATMA1TR SP000386664 |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 5470pF @ 75V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 150V |
| szczegółowy opis | N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
