| Part Number : | HUF76639S3ST |
|---|---|
| Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : | MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 24908 pcs |
| Arkusze danych | HUF76639S3ST.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (maks.) | ±16V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | D²PAK (TO-263AB) |
| Seria | UltraFET™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 26 mOhm @ 51A, 10V |
| Strata mocy (max) | 180W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy | HUF76639S3ST-ND HUF76639S3STFSTR |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
| szczegółowy opis | N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
