| Part Number : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 54527 pcs |
| Arkusze danych | FQPF33N10L.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220F |
| Seria | QFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| Strata mocy (max) | 41W (Tc) |
| Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Inne nazwy | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
| szczegółowy opis | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
