| Part Number : |
FQI50N06TU |
| Producent / marka : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : |
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK |
| Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość |
43979 pcs |
| Arkusze danych |
FQI50N06TU.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Vgs (maks.) |
±25V |
| Technologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet |
I2PAK (TO-262) |
| Seria |
QFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs |
22 mOhm @ 25A, 10V |
| Strata mocy (max) |
3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Opakowania |
Tube |
| Package / Case |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura robocza |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania |
Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds |
1540pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs |
41nC @ 10V |
| Rodzaj FET |
N-Channel |
| Cecha FET |
- |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) |
60V |
| szczegółowy opis |
N-Channel 60V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C |
50A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
