| Part Number : |
FQB5N90TM |
| Producent / marka : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : |
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK |
| Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość |
15754 pcs |
| Arkusze danych |
FQB5N90TM.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
| Vgs (maks.) |
±30V |
| Technologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet |
D²PAK (TO-263AB) |
| Seria |
QFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs |
2.3 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Strata mocy (max) |
3.13W (Ta), 158W (Tc) |
| Opakowania |
Cut Tape (CT) |
| Package / Case |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy |
FQB5N90TMCT |
| temperatura robocza |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta |
12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds |
1550pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs |
40nC @ 10V |
| Rodzaj FET |
N-Channel |
| Cecha FET |
- |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) |
900V |
| szczegółowy opis |
N-Channel 900V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C |
5.4A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
