Part Number : | FDT86102LZ |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 41442 pcs |
Arkusze danych | 1.FDT86102LZ.pdf2.FDT86102LZ.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (maks.) | ±20V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-223-4 |
Seria | PowerTrench® |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 28 mOhm @ 6.6A, 10V |
Strata mocy (max) | 2.2W (Ta) |
Opakowania | Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Inne nazwy | FDT86102LZFSCT |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 25 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1490pF @ 50V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
szczegółowy opis | N-Channel 100V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |