Part Number : | FDME820NZT |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 88624 pcs |
Arkusze danych | FDME820NZT.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (maks.) | ±12V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
Seria | PowerTrench® |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
Strata mocy (max) | 2.1W (Ta) |
Opakowania | Original-Reel® |
Package / Case | 6-PowerUFDFN |
Inne nazwy | FDME820NZTDKR |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 39 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 865pF @ 10V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20V |
szczegółowy opis | N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |