Part Number : | FDG311N |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 186523 pcs |
Arkusze danych | FDG311N.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (maks.) | ±8V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SC-70-6 |
Seria | PowerTrench® |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Strata mocy (max) | 750mW (Ta) |
Opakowania | Cut Tape (CT) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Inne nazwy | FDG311NCT |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 42 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 270pF @ 10V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 20V |
szczegółowy opis | N-Channel 20V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta) |