| Part Number : | FCPF099N65S3 |
|---|---|
| Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : | MOSFET N-CH 650V 30A TO220F |
| Status RoHs : | |
| dostępna ilość | 14875 pcs |
| Arkusze danych | FCPF099N65S3.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
| Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220F |
| Seria | SuperFET® III |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V |
| Strata mocy (max) | 43W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | Not Applicable |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2310pF @ 400V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 650V |
| szczegółowy opis | N-Channel 650V 30A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
