| Part Number : | FCI25N60N-F102 |
|---|---|
| Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Opis : | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| dostępna ilość | 7649 pcs |
| Arkusze danych | FCI25N60N-F102.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks.) | ±30V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | I2PAK (TO-262) |
| Seria | SupreMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Strata mocy (max) | 216W (Tc) |
| Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Inne nazwy | FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102-ND |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3352pF @ 100V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 600V |
| szczegółowy opis | N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
