Part Number : | EMD4DXV6T1G |
---|---|
Producent / marka : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 657926 pcs |
Arkusze danych | EMD4DXV6T1G.pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
Typ tranzystora | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Dostawca urządzeń Pakiet | SOT-563 |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | 47 kOhms |
Rezystor - Podstawa (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Moc - Max | 500mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Inne nazwy | EMD4DXV6T1G-ND EMD4DXV6T1GOSTR |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 2 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | - |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | 500nA |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 100mA |