Part Number : | DMN62D1LFB-7B |
---|---|
Producent / marka : | Diodes Incorporated |
Opis : | MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 321977 pcs |
Arkusze danych | DMN62D1LFB-7B.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (maks.) | ±20V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | X1-DFN1006-3 |
Seria | - |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
Strata mocy (max) | 500mW (Ta) |
Opakowania | Cut Tape (CT) |
Package / Case | 3-UFDFN |
Inne nazwy | DMN62D1LFB-7BDICT |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 20 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 64pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60V |
szczegółowy opis | N-Channel 60V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |