Part Number : |
DMN1019USN-13 |
Producent / marka : |
Diodes Incorporated |
Opis : |
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość |
322015 pcs |
Arkusze danych |
DMN1019USN-13.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id |
800mV @ 250µA |
Vgs (maks.) |
±8V |
Technologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet |
SC-59 |
Seria |
- |
RDS (Max) @ ID, Vgs |
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Strata mocy (max) |
680mW (Ta) |
Opakowania |
Tape & Reel (TR) |
Package / Case |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Inne nazwy |
DMN1019USN-13DITR |
temperatura robocza |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta |
32 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds |
2426pF @ 10V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs |
50.6nC @ 8V |
Rodzaj FET |
N-Channel |
Cecha FET |
- |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) |
1.2V, 2.5V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) |
12V |
szczegółowy opis |
N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C |
9.3A (Ta) |