Part Number : | APT17F120J |
---|---|
Producent / marka : | Microsemi |
Opis : | MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227 |
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 1636 pcs |
Arkusze danych | 1.APT17F120J.pdf2.APT17F120J.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Vgs (maks.) | ±30V |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet | ISOTOP® |
Seria | POWER MOS 8™ |
RDS (Max) @ ID, Vgs | 580 mOhm @ 14A, 10V |
Strata mocy (max) | 545W (Tc) |
Opakowania | Tube |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania | Chassis Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 21 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 9670pF @ 25V |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Rodzaj FET | N-Channel |
Cecha FET | - |
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 1200V |
szczegółowy opis | N-Channel 1200V 18A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |