Part Number : |
2SK3666-3-TB-E |
Producent / marka : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Opis : |
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
Status RoHs : |
Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość |
301721 pcs |
Arkusze danych |
2SK3666-3-TB-E.pdf |
Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id |
180mV @ 1µA |
Dostawca urządzeń Pakiet |
3-CP |
Seria |
- |
Resistance - RDS (on) |
200 Ohms |
Moc - Max |
200mW |
Opakowania |
Cut Tape (CT) |
Package / Case |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Inne nazwy |
869-1107-1 |
temperatura robocza |
150°C (TJ) |
Rodzaj mocowania |
Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) |
1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta |
4 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds |
4pF @ 10V |
Rodzaj FET |
N-Channel |
Spust do źródła napięcia (Vdss) |
30V |
szczegółowy opis |
JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
Pobór prądu (Id) - Max |
10mA |
Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0) |
1.2mA @ 10V |
Podstawowy numer części |
2SK3666 |